制造商零件编号：VS-GT400TH120U

制造商：Vishay Semiconductor Diodes Division

描述：IGBT 1200V 750A 2344W DIAP

系列：-

IGBT 类型：沟道

配置：半桥

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：750A

功率 - 最大值：2344W

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.35V @ 15V，400A

电流 - 集电极截止（最大值）：5mA

不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：51.2nF @ 30V

输入：标准

NTC 热敏电阻：无

安装类型：底座安装

封装/外壳：双 INT-A-PAK（3 + 8）

供应商器件封装：双 INT-A-PAK

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