制造商零件编号：VS-GB100NH120N

制造商：Vishay Semiconductor Diodes Division

描述：IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

系列：-

IGBT 类型：-

配置：单一

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200A

功率 - 最大值：833W

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.35V @ 15V，100A

电流 - 集电极截止（最大值）：5mA

不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：8.58nF @ 25V

输入：标准

NTC 热敏电阻：无

安装类型：底座安装

封装/外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）

供应商器件封装：双 INT-A-PAK

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