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VQ1006P-2-Vishay
  • 制造商:Vishay(威世)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
  • 封装:原厂封装
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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  • 帮您全面了解VQ1006P-2官方指导价、参数、批号、封装、技术资料
    技术资料

    制造商零件编号:VQ1006P-2

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

    系列:-

    FET 类型:4 个 N 通道

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):90V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):400mA

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 1A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 25V

    功率 - 最大值:2W

    安装类型:*

    封装/外壳:-

    供应商器件封装:*

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