技术资料
制造商零件编号:VQ1001P
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
系列:-
FET 类型:4 个 N 通道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):830mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.75 欧姆 @ 200mA, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):110pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
安装类型:*
封装/外壳:-
供应商器件封装:*
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