制造商零件编号：SUD19P06-60L-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 19A TO252

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1710pF @ 25V

功率 - 最大值：2.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

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