制造商零件编号：SISS23DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：50A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8840pF @ 15V

功率 - 最大值：57W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：PowerPAK 1212-8S

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