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技术资料
制造商零件编号:SIS902DN-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
系列:TrenchFET
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):186 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):175pF @ 38V
功率 - 最大值:15.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK 1212-8 双
供应商器件封装:PowerPAK 1212-8 Dual
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