制造商零件编号：SIS902DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

系列：TrenchFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：75V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：186 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：175pF @ 38V

功率 - 最大值：15.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK 1212-8 双

供应商器件封装：PowerPAK 1212-8 Dual

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