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SIR788DP-T1-GE3-Vishay
  • 制造商:Vishay(威世)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • 封装:PowerPAK
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:SIR788DP-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

    系列:SkyFET, TrenchFET

    FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):60A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 20A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2873pF @ 15V

    功率 - 最大值:48W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:PowerPAK SO-8

    供应商器件封装:PowerPAK SO-8

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