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技术资料
制造商零件编号:SIR418DP-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):40A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2410pF @ 20V
功率 - 最大值:39W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK SO-8
供应商器件封装:PowerPAK SO-8
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