制造商零件编号：SIR412DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：600pF @ 10V

功率 - 最大值：15.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SO-8

供应商器件封装：PowerPAK SO-8

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