制造商零件编号：SIE830DF-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK

系列：WFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：50A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：115nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5500pF @ 15V

功率 - 最大值：104W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：10-PolarPAK（S）

供应商器件封装：10-PolarPAK（S）

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