制造商零件编号：SIA444DJT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 7.4A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：560pF @ 15V

功率 - 最大值：19W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SC-70-6

供应商器件封装：PowerPAK SC-70-6 单

我们提供Vishay(威世)全系列IC，包含威世官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解SIA444DJT-T1-GE3。