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技术资料
制造商零件编号:SI7940DP-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
系列:TrenchFET
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):17 毫欧 @ 11.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK SO-8 双
供应商器件封装:PowerPAK SO-8 Dual
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