技术资料
制造商零件编号:SI7842DP-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
系列:LITTLE FOOT
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):22 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK SO-8 双
供应商器件封装:PowerPAK SO-8 Dual
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