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SI7802DN-T1-GE3-Vishay
  • 制造商:Vishay(威世)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
  • 封装:PowerPAK
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:SI7802DN-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

    系列:TrenchFET

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):250V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.24A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):435 毫欧 @ 1.95A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:1.5W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:PowerPAK 1212-8

    供应商器件封装:PowerPAK 1212-8

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