技术资料
制造商零件编号:SI7802DN-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
系列:TrenchFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.24A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):435 毫欧 @ 1.95A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK 1212-8
供应商器件封装:PowerPAK 1212-8
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