制造商零件编号：SI7540DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.6A，5.7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SO-8 双

供应商器件封装：PowerPAK SO-8 Dual

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