技术资料
制造商零件编号:SI7454DP-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
系列:TrenchFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):34 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK SO-8
供应商器件封装:PowerPAK SO-8
我们提供Vishay(威世)全系列IC,包含威世官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解SI7454DP-T1-E3。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015