制造商零件编号：SI7106DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK 1212-8

供应商器件封装：PowerPAK 1212-8

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