技术资料
制造商零件编号:SI6926ADQ-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:830mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装:8-TSSOP
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