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SI5515CDC-T1-E3-Vishay
  • 制造商:Vishay(威世)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
  • 封装:1206-8
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:SI5515CDC-T1-E3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

    系列:TrenchFET

    FET 类型:N 和 P 沟道

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):36 毫欧 @ 6A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.3nC @ 5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):632pF @ 10V

    功率 - 最大值:3.1W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SMD,扁平引线

    供应商器件封装:1206-8 ChipFET

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