制造商零件编号：SI5515CDC-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

系列：TrenchFET

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.3nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：632pF @ 10V

功率 - 最大值：3.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：1206-8 ChipFET

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