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技术资料
制造商零件编号:SI5509DC-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
系列:TrenchFET
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.1A,4.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):52 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):455pF @ 10V
功率 - 最大值:4.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商器件封装:1206-8 ChipFET
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