技术资料
制造商零件编号:SI4952DY-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
系列:TrenchFET
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):680pF @ 13V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
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