制造商零件编号：SI4501BDY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

系列：TrenchFET

FET 类型：N 和 P 沟道，共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V，8V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A，8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：805pF @ 15V

功率 - 最大值：4.5W， 3.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

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