制造商零件编号：SI4477DY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：26.6A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.2 毫欧 @ 18A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：190nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4600pF @ 10V

功率 - 最大值：6.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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