技术资料
制造商零件编号:SI4453DY-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
系列:TrenchFET
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 14A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 600μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):165nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
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