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技术资料
制造商零件编号:SI4102DY-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
系列:TrenchFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.8A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):158 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):370pF @ 50V
功率 - 最大值:4.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
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