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技术资料
制造商零件编号:SI3493BDV-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
系列:TrenchFET
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):27.5 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1805pF @ 10V
功率 - 最大值:2.97W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:6-TSOP
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