制造商零件编号：SI2333DDS-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1275pF @ 6V

功率 - 最大值：1.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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