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SI2321DS-T1-E3-Vishay
  • 制造商:Vishay(威世)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
  • 封装:SOT-23-3
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:SI2321DS-T1-E3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

    系列:TrenchFET

    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):57 毫欧 @ 3.3A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):715pF @ 6V

    功率 - 最大值:710mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

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