技术资料
制造商零件编号:SI2318CDS-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
系列:TrenchFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):42 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):340pF @ 20V
功率 - 最大值:2.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
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