制造商零件编号：SI1965DH-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

系列：TrenchFET

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：390 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.2nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：120pF @ 6V

功率 - 最大值：1.25W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SC-70-6 （SOT-363）

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