制造商零件编号：SI1926DL-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 60V 370MA SOT363

系列：TrenchFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：370mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 340mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：18.5pF @ 30V

功率 - 最大值：510mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

我们提供Vishay(威世)全系列IC，包含威世官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解SI1926DL-T1-GE3。