制造商零件编号：SI1065X-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：156 毫欧 @ 1.18A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 6V

功率 - 最大值：236mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：SC-89-6

我们提供Vishay(威世)全系列IC，包含威世官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解SI1065X-T1-GE3。