制造商零件编号：SI1035X-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 180MA SOT563F

系列：TrenchFET

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180mA，145mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：400mV @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.75nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：SC-89-6

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