技术资料
制造商零件编号:SI1029X-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 60V 305MA SOT563F
系列:TrenchFET
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):305mA,190mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30pF @ 25V
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SC-89-6
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