制造商零件编号：SI1012CR-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 630MA SC-75A

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：396 毫欧 @ 600mA， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：43pF @ 10V

功率 - 最大值：240mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-75，SOT-416

供应商器件封装：SC-75A

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