制造商零件编号：IRLI630G

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 3.7A，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 25V

功率 - 最大值：35W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

供应商器件封装：TO-220-3

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