制造商零件编号：IRFD010PBF

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：50V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 860mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安装类型：通孔

封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

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