技术资料
制造商零件编号:FESB8DT-E3/81
制造商:Vishay Semiconductor Diodes Division
描述:DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
系列:-
二极管类型:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200V
电流 - 平均整流 (Io):8A
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):950mV @ 8A
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr):35ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V
不同 Vr、F 时的电容:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:TO-263AB
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
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