制造商零件编号：2N6661JTVP02

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：90V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：860mA（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 25V

功率 - 最大值：725mW

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装：TO-39

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