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技术资料
制造商零件编号:2N6661JAN02
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):90V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):860mA(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V
功率 - 最大值:725mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
供应商器件封装:TO-39
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