技术资料
制造商零件编号:2N4391
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):50mA @ 20V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):4V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14pF @ 20V
电阻 - RDS(开):30 欧姆
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-206AA (TO-18)
功率 - 最大值:1.8W
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