制造商零件编号：2N4391-2

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V

漏源极电压 (Vdss)：-

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：50mA @ 20V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：4V @ 1nA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14pF @ 20V

电阻 - RDS（开）：30 欧姆

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装：TO-206AA （TO-18）

功率 - 最大值：1.8W

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