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技术资料
制造商零件编号:TPH4R606NH,L1Q
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):32A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3965pF @ 30V
功率 - 最大值:63W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:8-SOP 高级
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