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TPH2010FNH,L1Q-东芝半导体Toshiba
  • 制造商:Toshiba(东芝半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
  • 封装:8-SOP
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:TPH2010FNH,L1Q

    制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):250V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.6A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):198 毫欧 @ 2.8A, 10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 100V

    功率 - 最大值:42W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerVDFN

    供应商器件封装:8-SOP 高级

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