制造商零件编号：TPH12008NH,L1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 80V 24A SOP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：24A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.3 毫欧 @ 12A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1900pF @ 40V

功率 - 最大值：48W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：8-SOP 高级

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