技术资料
制造商零件编号:TPCP8201(TE85L,F)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.2A PS-8
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):470pF @ 10V
功率 - 最大值:360mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商器件封装:PS-8
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