制造商零件编号：TPCF8402(TE85L,F,M

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A，3.2A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：470pF @ 10V

功率 - 最大值：330mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：VS-8（2.9x1.9）

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