制造商零件编号：TPCF8101(TE85L,F,M

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1600pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：VS-8（2.9x1.9）

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