制造商零件编号：TPC8A03-H(TE12LQM)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：17A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 8.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3430pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

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