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TPC8A03-H(TE12LQM)-东芝半导体Toshiba
  • 制造商:Toshiba(东芝半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B
  • 封装:8-SOP
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:TPC8A03-H(TE12LQM)

    制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 8.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3430pF @ 10V

    功率 - 最大值:-

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

    供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)

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